Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
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Modeling of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
Nirmal, D.; Ajayan, J.
Springer Verlag, Singapore
01/2025
298
Dura
9789819775057
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Compact surface potential based algan/gan hemt models.- Physical Modelling of Charge Trapping Effects.- Recent Developments and Applications of High Electron Mobility Transistors.- Neural network based gan hemt modeling techniques.
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GaN HEMT Modeling;Neural Network Based GaN HEMT Models;Numerical Modeling of GaN HEMTs;High Electron Mobility Transistor;Device Modeling of AlGaN/GaN HEMTs;HEMT;Gallium Nitride (GaN) Physics, Devices, and Technology
Compact surface potential based algan/gan hemt models.- Physical Modelling of Charge Trapping Effects.- Recent Developments and Applications of High Electron Mobility Transistors.- Neural network based gan hemt modeling techniques.
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