Near Infrared Detectors Based on Silicon Supersaturated with Transition Metals
portes grátis
Near Infrared Detectors Based on Silicon Supersaturated with Transition Metals
Montero Alvarez, Daniel
Springer Nature Switzerland AG
01/2022
230
Mole
Inglês
9783030638283
15 a 20 dias
415
Descrição não disponível.
Introduction.- Experimental techniques.- Results: NLA using a short pulse duration KrF laser.- Results: NLA using a long pulse duration XeCl laser.- Results: Integrating the supersaturated material in a CMOS pixel matrix.
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Infrared Cmos Image Sensor;Sub-bandgap Absorption Silicon;Supersaturated Silicon;Nanosecond Laser Annealing;Short Wave Infrared Sensor Silicon;Titanium Hyperdoped Silicon;Room Temperature Infrared Photodiode Silicon;Time-Resolved Reflectometry Supersaturated Silicon
Introduction.- Experimental techniques.- Results: NLA using a short pulse duration KrF laser.- Results: NLA using a long pulse duration XeCl laser.- Results: Integrating the supersaturated material in a CMOS pixel matrix.
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